同社は成長のために積極的な設備投資と稼働率向上を両輪に据えた戦略をとっています。2024年の売上高は約14.36億ドルで前年から約1%増加し、同年には設備投資として約4.36億ドルを投じました。今後は300mmウェーハのシリコンフォトニクスやSiGe（シリコンとゲルマニウムを用いた高速技術）対応の能力強化に向けて、Fabごとの増強や新規設備への投資を継続し、SiPho／SiGe関連で合計約3.5〜6.5億ドル規模（Fab別の設備投資350百万ドル、Intel施設向け最大300百万ドルなど）の支出を見込んでおり、工場稼働率の向上と市場シェア拡大を目指しています。

重点投資分野は高付加価値のアナログ・ミックス信号分野で、同社はSiGeやシリコンフォトニクス、RF-SOI（無線向けの薄膜技術）、電力管理回路、CMOSイメージセンサーなどに資源を集中させています。これらはデータセンター向け光トランシーバーや無線機器の増速、低消費電力化に寄与する技術であり、同社は「既存の化合物半導体よりコストや集積性で優れる」点を差別化要素として打ち出しています。さらに顧客設計支援やプロセスの最適化といった付加価値サービスを提供し、単なる生産委託先ではない「設計段階からのパートナー」としての位置づけを強めています。

新市場開拓と事業拡大では、既存のグローバルな製造拠点ネットワーク（イスラエル、イタリア、米国、日本を含む複数のファブ）に加え、Intelのニューメキシコ工場内300mm容量回廊やSTとの300mmクリーンルーム共有といった容量確保の協業を活用して市場参入の迅速化を図っています。同社はAR/VR向けのOLED on Silicon（小型高密度表示）、非可視センサー（UV・ガス・BioFETなど）、AI処理向けの新デバイス（メムリスタ等）といった成長分野を狙い、既存顧客の深耕と新規顧客獲得でポートフォリオを広げる計画です。これらの拡大には追加資金調達（借入や増資の可能性）や外部提携が必要となる見込みである点も明示しています。

技術革新への取り組みとしては、研究開発費が売上の約5.5%（2024年）に相当し、プロセス技術の微細化ではなく「機能集積と性能向上」に重点を置いています。具体的には受動素子（コンデンサやインダクタ）の高密度化、トランジスタの電圧耐性向上、シリコンフォトニクスの量産化プロセス確立、そしてネイティブなアナログ性能を保ったままの高電圧デバイス開発などを進めています。さらに、顧客と共同で工程の立ち上げ・評価（プロセスの資格取得）を行うことで設計から量産までの時間短縮を実現し、競争力のある製品化を目指しています。

	2012/12	2013/12	2014/12	2015/12	2016/12	2017/12	2018/12	2022/12	2023/12	2024/12
Return on Assets	-8.4	-14.2	0.5	-3.1	17.8	19.8	7.8	11.2	19	6.9
Return on equity (%)

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